Элемент солнечный арсенид-галлиевый GaInP2 / GaAs / Ge

    • Элемент солнечный арсенид-галлиевый GaInP2 / GaAs / Ge

    Назначение:
    Использование в конструкции батарей солнечных систем электропитания космических аппаратов для преобразования солнечной энергии в электрическую.
    Год начала выпуска: 2007
    Ориентировочный срок изготовления/ поставки (месяцев): 1
    Лётная квалификация изделия: Да
    Возможность адаптации изделия под требования заказчика: Да
    Оставить заявку


    Параметр Значение
    КПД, % 28,5
    Ток, mА 500
    Напряжение в точке макс. мощности, Ump, В 2,371
    Максимальная мощность, Pmp, Вт / м² 381
    Толщина, мм 0,09 / 0,11 / 0,14
    Размеры Д х Ш, мм 80 х 40

    Описание

    Полупроводниковая структура.

    Примечание

    Типоразмер ФЭП (площадь от 4 мм2 до 60,3 мм2) и конструкция контактной системы могут быть изменены по желанию заказчика.

    Правовая информация
    Обращаем ваше внимание на то, что данный интернет-сайт носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями ч. 2 ст. 437 Гражданского кодекса Российской Федерации.
    Информация, размещенная на данном интернет-сайте может быть изменена или дополнена.